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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG7PH35UD1-EP 晶体管, IGBT, 1200V, 50A54395+￥25.365650+￥24.2816200+￥23.6746500+￥23.52281000+￥23.37102500+￥23.19765000+￥23.08927500+￥22.9808 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。39451+￥39.308410+￥37.0530100+￥35.3776250+￥35.1198500+￥34.86201000+￥34.57212500+￥34.31435000+￥34.1532 -
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品类: IGBT晶体管描述: International Rectifier IRG7PH35UD1PBF, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247AC封装294410+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube36015+￥22.838450+￥21.8624200+￥21.3158500+￥21.17921000+￥21.04262500+￥20.88645000+￥20.78887500+￥20.6912 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT57311+￥43.383210+￥40.8940100+￥39.0449250+￥38.7604500+￥38.47591000+￥38.15592500+￥37.87145000+￥37.6936 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube51321+￥48.238810+￥45.4710100+￥43.4149250+￥43.0986500+￥42.78231000+￥42.42642500+￥42.11015000+￥41.9124 -
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品类: IGBT晶体管描述: 智能功率模块的前端整流器概述 Smart Power Module for Front-End Rectifier General Description29971+￥112.665510+￥107.7670100+￥106.8853250+￥106.1995500+￥105.12181000+￥104.63202500+￥103.94625000+￥103.3584 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG7PH35UD-EP 单晶体管, IGBT, N通道, 50 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 新26955+￥11.746850+￥11.2448200+￥10.9637500+￥10.89341000+￥10.82312500+￥10.74285000+￥10.69267500+￥10.6424 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET88855+￥25.529450+￥24.4384200+￥23.8274500+￥23.67471000+￥23.52202500+￥23.34745000+￥23.23837500+￥23.1292 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF10N50UT, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装22345+￥14.414450+￥13.7984200+￥13.4534500+￥13.36721000+￥13.28102500+￥13.18245000+￥13.12087500+￥13.0592 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24771501+￥777.035410+￥749.771050+￥746.3630100+￥742.9549150+￥737.5020250+￥732.7308500+￥727.95951000+￥722.5066 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24775091+￥86.790510+￥83.0170100+￥82.3378250+￥81.8095500+￥80.97931000+￥80.60202500+￥80.07375000+￥79.6209 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1200V 200A 830W Plus24771701+￥212.462510+￥206.920050+￥202.6708100+￥201.1928200+￥200.0843500+￥198.60631000+￥197.68252000+￥196.7588 -
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品类: MOS管描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.79791+￥62.100010+￥59.4000100+￥58.9140250+￥58.5360500+￥57.94201000+￥57.67202500+￥57.29405000+￥56.9700 -
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品类: MOS管描述: RF功率晶体管， LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST family95181+￥142.209010+￥138.499250+￥135.6550100+￥134.6657200+￥133.9238500+￥132.93451000+￥132.31622000+￥131.6979 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 V505310+￥7.7880100+￥7.3986500+￥7.13901000+￥7.12602000+￥7.07415000+￥7.00927500+￥6.957310000+￥6.9313 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V52085+￥17.105450+￥16.3744200+￥15.9650500+￥15.86271000+￥15.76042500+￥15.64345000+￥15.57037500+￥15.4972 -
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品类: MOS管描述: TO-220FP N-CH 650V 6.6A629510+￥6.7800100+￥6.4410500+￥6.21501000+￥6.20372000+￥6.15855000+￥6.10207500+￥6.056810000+￥6.0342 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能63955+￥19.305050+￥18.4800200+￥18.0180500+￥17.90251000+￥17.78702500+￥17.65505000+￥17.57257500+￥17.4900 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3GXKSA1, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装65495+￥14.917550+￥14.2800200+￥13.9230500+￥13.83381000+￥13.74452500+￥13.64255000+￥13.57887500+￥13.5150 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPA04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V571110+￥6.6120100+￥6.2814500+￥6.06101000+￥6.05002000+￥6.00595000+￥5.95087500+￥5.906710000+￥5.8847 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能95795+￥3.132025+￥2.900050+￥2.7376100+￥2.6680500+￥2.62162500+￥2.56365000+￥2.540410000+￥2.5056 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA086N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.7 V21805+￥1.809025+￥1.675050+￥1.5812100+￥1.5410500+￥1.51422500+￥1.48075000+￥1.467310000+￥1.4472 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA032N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V60605+￥13.419950+￥12.8464200+￥12.5252500+￥12.44501000+￥12.36472500+￥12.27295000+￥12.21567500+￥12.1582 -
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品类: MOS管描述: 酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor418510+￥9.5040100+￥9.0288500+￥8.71201000+￥8.69622000+￥8.63285000+￥8.55367500+￥8.490210000+￥8.4586 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能50015+￥5.953525+￥5.512550+￥5.2038100+￥5.0715500+￥4.98332500+￥4.87315000+￥4.829010000+￥4.7628
